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これまでR＆Dとしての役割を担ってきた当社。資金調達および顧客開拓が順調に進み量産に向けて始動しております。量産の実現に向けたプロセス開発が喫緊の課題であり組織強化に向けて増員中です！

【応募資格/応募条件】

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜必須条件＞パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方

（1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
（2）ファウウンドリーでのデバイス試作経験
（3）デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
（4）パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
（5）半導体デバイスの信頼性評価技術の実務経験

＜語学力＞
英語、中国語出来れば尚可

＜勤務地＞
京都

＜休暇・休日＞
年間１２０日　完全週休二日制　土日祝日休み

＜給与＞
年俸制　想定年収：５００万円～１，０００万円

＜その他＞
＊専門業務型裁量労働制、在宅、テレワークを導入。

詳しくは、お気軽に弊社へご連絡ください。